|
2009
- 金田昭男特定助教、船戸充准教授、川上養一教授
日本結晶成長学会誌 -特集- 窒化物半導体中の欠陥
に解説記事が掲載されました。
"近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価"
- Tadek Suski 教授(Unipress, Porland)
10月8日に研究室に来訪され、講演をして頂きました。
講演題目
"Consequences of In-segregation in InGaN and AlInN. Between hyphothesis and reality. including band structure and its pressure dependence from first principles, experimental verification - pressure studies, heterostructures of GaN/AlInN."
講演後の集合写真
- Fidel Castro Diaz-Balart 博士(Scientific Adviser of the President, Cuba)
10月6日に研究室に来訪されました。
ラボツアー中の写真(左端)
- 船戸充准教授、川上養一教授
Materials Research Society (MRS) Bulletin Vol.34, No.5, pp.334-340
に解説記事が掲載されました。
"Semipolar III Nitride Semiconductors: Crystal Growth, Device Fabrication, and Optical Anisotropy"
- 岡本晃一特命准教授
月刊ディスプレイ 第15巻 第2号 LEDとデバイス技術特集号
に論文が掲載されました。
"表面プラズモンを用いた高輝度LED"(pp. 10-16)
岡本 晃一、川上 養一
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 15, No. 4, pp. 1190-1209 (2009)
に招待論文が掲載されました。
"High efficient InGaN/GaN light emitters based on nanophotonics and plasmonics"
K. Okamoto, and Y. Kawakami
- 新メンバーが研究室に加わりました。
(桂キャンパスBクラスターにて。2009/4/8)
- 金田昭男研究員
2009年4月1日付で特定助教に任命されました。
|
(光材料物性工学)
