|
2007
- 船戸充准教授
第55回表面科学研究会 「窒化ガリウム系材料とデバイスの新展開」 (2007年12月7日(金) 島津製作所 関西支社 マルチホール)
"非c面InGaN/GaN量子構造の結晶成長とその光物性"
- 岡本晃一特命准教授
第3回ナノテクビジネスサロン in KATSURA "フォトニクスについて語ろう" (2007年12月6日(木) 京大桂ベンチャープラザ)
"プラズモニクスで光半導体の夢を実現する"
- 川上養一教授
The 14th International Display Workshops (Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan, December 5-7, 2007)
"Light Emitting Devices Based on Semipolar-Oriented InGaN/GaN Quantum Wells"
- 岡本晃一特命准教授
第14回ナノ光科学講演会 (2007年10月3日(水) 京都大学化学研究所 付属元素科学国際研究センター)
"プラズモニクスに基づく高輝度発光素子"
- 川上養一教授
7th International Conference on Nitride Semiconductors (Las Vegas, Nevada, USA, September 16-21, 2007)
"Local spectroscopic investigations on semipolar InGaN-based nanostructures and their application to LEDs"
- 岡本晃一さきがけ研究者
第5回 分析･評価技術公開セミナー (2007年8月8日 京都大学産官学連携センター/NEDO光集積ラボラトリー)
"ナノフォトニクスに基づく光計測と発光デバイス"
- 川上養一教授
International Opticalelectronics Exhibition '07 (InterOpto'07; 2007年7月11日(水)〜13日(金) 幕張メッセ)
"照明の最新動向"
7月13日(金) 光技術動向セミナー 14:00-14:30
- 船戸充講師
第26回電子材料シンポジウム (2007年7月4日(水)〜6日(金) ラフォーレ琵琶湖)
"半極性(11-22)面上InGaN/GaN量子井戸および発光ダイオードの開発"
船戸充1，上田雅也1，川上養一1，成川幸男2，向井孝志2 (1京都大学，2日亜化学)
プログラム
- 川上養一教授
7th International Conference of the Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (Havana, Cuba, April 12-17, 2007)
"Local microscopy investigations of low Dimensional nitrides"
- 川上養一助教授、船戸充講師
応用物理学会関西支部セミナー 「結晶成長とデバイス応用」(2007年3月12日(月) JST研究成果活用プラザ京都)にて講演
"半極性InGaN系発光素子の作製と評価"
船戸充1，上田雅也1，川上養一1，成川幸男2，向井孝志2 (1 京都大学, 2 日亜化学)
- 船戸充講師
TMS 2007, 136th Annual Meeting & Exhibition (February 25-March 1,2007, Orlando, Florida, USA)
"Toward the achievement of tailor-made solid-state lighting with a phosphor-less technology based on InGaN/GaN quantum wells"
セッション:
Wide Band-Gap Semiconductor Nanostructures:Session III, February 27, 2007, 9:00-9:35
プログラム(PDF:3.1MB)
|
(光材料物性工学)
