川上研究室(光材料物性工学) 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 量子機能工学講座 光材料物性工学分野 ◆ENGLISH ◆HOME ◆RESEARCH ◆MEMBERS ◆ACCESS ◆LINK ◆LOCAL

	◆ 2013 ◆ 2012 ◆ 2011 ◆ 2010 ◆ 2009 ◆ 2008 ◆ 2007 ◇ 2006 ◆ 2005 ◆ 2004 2006 船戸充講師 International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (October 22-27, 2006, Kyoto, Japan) "InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar {11-22} GaN Bulk Crystals" プログラム番号: WeOD3-1 14:00-14:30 川上養一助教授 真空フォーラム2006「21世紀の照明　高輝度LEDの技術進展」 「高輝度LEDの技術動向と将来展望」 川上 養一（京都大学工学研究科 助教授) 会期:9月15日(金) 12:30〜15:30 (受付 12:00〜) 会場:東京ビックサイト会議棟 6F 605･606号室 主催:日本真空工業会 川上養一助教授 ワイドバンドギャップ半導体の量子構造に関する第5回国際サマースクール Monte Verita Summer School "Wide bandgap Semiconductor Quantum Structures" (August 27-September 1, 2006, Monte Verita, Ascona, Switzerland) "Recombination dynamics in (In, Ga) N-based nanostructures" 公式サイト インフォメーション 金田昭男研究員 8th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (May 14 - 17, 2006, Cadiz, Spain) "Local recombination processes in InGaN studied by temporally and spatially resolved photoluminescence spectroscopy"