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ようこそ！ 川上研究室では、光と物質との相互作用に基づく新物性の発現と解明に取り組んでいます。このことによって、新しい光デバイスや光応用への展開を推進しています。
ようこそ！ 川上研究室では、光と物質との相互作用に基づく新物性の発現と解明に取り組んでいます。このことによって、新しい光デバイスや光応用への展開を推進しています。
ニュース
- 松田祥伸特定助教
第53回(2022年秋季)応用物理学会秋季学術講演会(東北大学川内北キャンパス, 令和4年9月20-23日）にて、 応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
"自在な構造制御による多波長発光を目指したGaNマイクロレンズ構造上InGaN LED"
講演番号 22p-B102-3 - 「発光シンセサイザ」に関する川上の解説記事が
応用物理学会誌 第91巻 第10号 606ページに掲載されました． - Applied Physics Express Vol. 15, 105503 (2022).
にて発表した論文
"Multiwavelength-emitting InGaN quantum wells on convex-lens-shaped GaN microstructures"が、
Semiconductor Today誌で紹介されました。
こちらが記事になります。 - 石井良太助教
第2回先端ナノミクス若手研究者交流会(オンライン, 令和4年3月17日）にて、 最優秀ポスター賞を受賞しました。
"高空間分解能を有する深紫外近接場光学顕微鏡の開発"
講演番号 P7 - 松田祥伸特定助教
第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会(リジェール松山, 令和3年12月2-4日）にて、 研究奨励賞を受賞しました。
"極性面フリーなInGaN系マルチファセット構造の作製と光デバイス応用"
講演番号 Th-I1 -
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会（WideG）が設立されました．
理事（会長）として，川上養一教授が就任しています．
- 尾崎拓也氏(博士課程修了生)
第43回(2021年度)応用物理学会論文奨励賞を受賞しました。
"Red-emitting InxGa1−xN/InyGa1−yN quantum wells grown on lattice-matched InyGa1−yN/ScAlMgO4 (0001) templates"
Takuya Ozaki, Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami
Appl. Phys. Express 12 011007 (2019) - 船戸 充准教授
IOP PublishingのTrusted Reviewerに認定されました。 - 松田祥伸氏(博士課程学生)
The 2nd Advanced Nanomics Symposium(令和元年10月15日)にて、 Best Poster Presentation Awardを受賞しました。
"Polar-Plane-Free Faceted InGaN-LEDs toward Next-Generation White Light Sources"
Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - APL Photonics Vol. 4, No. 7, 070801 (2019)に発表の論文
"Pushing the limits of deep-ultraviolet scanning near-field optical microscopy"
Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami
が、本誌の注目論文Featuredに選ばれ、
American Institute of Physics (AIP)出版社全体の注目記事Scilightにも選ばれました。 - 松田祥伸氏(博士課程学生)
LEDIA'19 (パシフィコ横浜, 平成31年4月23-25日)にて、 Student's Paper Award "Yamaguchi Masahito Award"を受賞しました。
講演番号 LEDIA-7-04
"Exploring the growth procedures for polar-plane-free faceted InGaN-LED structures"
Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)での前原 圭汰君(M1)の発表
"Red-emitting InGaN quantum wells grown on In0.17Ga0.83N templates lattice matched to ScAlMgO4 substrates"
が，日経xTECH で紹介されました。詳細はこちらです。
- Applied Physics Express Vol. 12, 011007 (2019)に発表の論文
"Red-emitting InxGa1−xN/InyGa1−yN quantum wells grown on lattice-matched InyGa1−yN/ScAlMgO4 (0001) templates"
Takuya Ozaki, Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami
がSpotlightsに選ばれました。 - 松田祥伸氏(博士課程学生)
第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会 (工学院大学 新宿キャンパス, 平成30年11月29日)にて、 発表奨励賞を受賞しました。
講演番号 2P025
"極性面フリーな三次元InGaN量子井戸からの輻射再結合寿命が短いパステルグリーン発光"
松田祥伸、船戸 充、川上養一 - 岸元克浩氏(博士課程学生)
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (Kanazawa, Japan, Nov. 11-16, 2018)にて、
Student Awardを受賞しました。
講演番号 LN2-3
"Controlling p-type conductivity at AlN surfaces"
Katsuhiro Kishimoto, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 第79回応用物理学会秋季学術講演会での川上養一教授の招待講演が日経xTECH で紹介されました。詳細はこちらです。
-
金沢で開催される窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)で，
博士課程学生の岸元君と松田君、修士課程学生の小林君と前原君が研究発表します。その詳細はこちらです。 IWNは窒化物半導体業界で最も規模の大きな国際会議であり、川上教授が実行委員長を務めます。 -
京都大学電気関係教室技術情報誌CUE第40号に、
研究室での近接場光学顕微鏡に関する研究動向を紹介する記事が
掲載されました。詳細はこちらです．
- Applied Physics Express Vol. 11, 061001 (2018).
にて発表した論文
"AlGaN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes"が、
Compound Semiconductor誌で紹介されました。 - 松田祥伸氏(博士課程学生)
第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (名古屋大学, 東山キャンパス, 平成30年7月12-13日)にて発表奨励賞を受賞しました。
講演番号 Th-P19
"極性面フリーな三次元InGaN量子井戸を用いた混合色合成と制御"
松田祥伸、船戸 充、川上 養一 - 片岡研氏(研究員)
応用物理学会2018年春季学術講演会においてPoster Awardを受賞しました。
講演番号 20p-P6-24
"AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光"
片岡研、千賀岳人、船戸充、川上養一 - 松田祥伸氏(博士課程学生)
International Symposium on Photonics and Electronics Science and Engineering 2018（京都大学、桂キャンパス、平成30年3月19-20日）でポスターアワードを受賞しました。
"Efficient polychromatic emission from polar-plane-free faceted InGaN quantum wells"
Y. Matsuda - 松田祥伸氏(修士課程学生)
2016年度LQE奨励賞を受賞しました。授賞時の様子がこちらです。
受賞対象：2016年レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年12月12-13日)
"極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現"
松田祥伸、船戸 充、川上 養一 - 2017年9月15日に新学術領域研究「特異構造の結晶科学」の領域内研究会を行い、
和歌山大学の篠塚雄三教授と山口大学の山田陽一教授に講演して頂きました。
そのときの様子がこちらです。
講演内容
"半導体中の深い準位での配位座標モデル" 篠塚雄三教授
"レーザ分光法による内部量子効率の評価" 山田陽一教授 - 岸元克浩氏(修士課程学生)
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年5月9-10日)にて発表奨励賞を受賞しました。
講演番号 Tu-6
"ESVPE 成長AlN の厚膜化に伴う歪および転位の評価"
岸元克浩、Wu PeiTsen、船戸 充、川上 養一 - 尾崎拓也氏(博士課程学生)
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年5月9-10日)にて発表奨励賞を受賞しました。
講演番号 Mo-9
"ScAlMgO4(0001)基板上InGaN 薄膜における組成引き込み効果"
尾崎拓也、船戸 充、川上 養一 - 石井良太助教
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年5月9-10日)にて研究奨励賞を受賞しました。
講演番号 I-Tu-3
"GaN とAlN の物性定数の同定と(Al,Ga)N 系半導体の物性予測"
石井良太、船戸 充、川上 養一 - 藤田研究室と合同で毎年恒例のBBQを行いました。
そのときの様子がこちらです。
- Norwegian University of Science and Technologyの
Helge Weman教授に講演して頂きました。
そのときの様子がこちらです。
"III-V semiconductor nanowires grown on Si and graphene
for optoelectronic applications"
- AIP Advances Vol. 5, No. 11, 117115 (2015).
にて発表した論文
"Screw dislocation-induced growth spirals as emissive exciton localization centers in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells"が、
Editor's Picksに選ばれました。
- 市川修平氏(博士課程学生)
第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015年9月13日(日)-16日(水) 名古屋国際会議場) の注目論文に選ばれ、応用物理学会誌(Vol. 84 No. 9 pp. 793)で紹介されました。
講演番号 13p-1D-14
"半極性AlGaN/AlN量子井戸の誘導放出に向けた構造設計"
市川修平、船戸 充、川上 養一
- Applied Physics Express Vol. 8, No. 6, 062101 (2015).
にて発表した論文
"InGaN-based visible light-emitting diodes on ScAlMgO4 (0001) substrates"が、
Spotlightsに選ばれました。
- 尾崎拓也氏(博士課程学生)
第62回応用物理学会春季学術講演会 (2015年3月11日(水)-14日(土) 東海大学 湘南キャンパス) の注目論文に選ばれ、応用物理学会誌(Vol. 84 No. 5 pp. 209)で紹介されました。
講演番号 14a-B1-9
"ScAlMgO4(0001)基板上低歪GaN薄膜を用いた
InGaN系可視発光ダイオードの試作"
尾崎拓也、船戸 充、川上 養一
- 市川修平氏(博士課程学生)
2014年秋季 第75回応用物理学会関係連合講演会 (2014年9月17日(水)-20日(土) 北海道大学 札幌キャンパス) にて講演奨励賞を受賞しました。
講演番号 18a-C5-12
"CLマッピング測定を用いたAlGaN系半導体における
支配的な非輻射再結合経路の直接観察"
市川修平、船戸 充、岩﨑洋介、川上養一
- 船戸 充准教授、金 潤碩氏、平 貴之氏、金田昭男氏、川上養一教授、
三好 隆氏(日亜化学)、長濱慎一氏(日亜化学)
第36回(2014年度)応用物理学会論文賞を受賞しました。
"Remarkably Supressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure", Applied Physics Express 6, 111002 (2013).
Mitsuru Funato, Yoon Seok Kim, Takayuki Hira, Akio Kaneta, Yoichi Kawakami, Takashi Miyoshi, and Shin-ichi Nagahama
- 市川修平氏(博士課程学生)
第6回窒化物半導体結晶成長講演会(2014年7月25日(金)-26日(土) 名城大学 天白キャンパス) にて発表奨励賞を受賞しました。
"半極性面AlGaN/AlN量子井戸の短い輻射再結合寿命と発光強度の増大"
市川修平、岩田佳也、船戸充、川上養一
- 市川修平氏(博士課程学生)
第33回電子材料シンポジウム(33rd EMS)(2014年7月9日(水)-11日(金) ラフォーレ修善寺) にてEMS賞を受賞しました。
- 西中淳一氏(発表時博士課程学生)
2014年春季 第61回応用物理学会関係連合講演会 (2014年3月17日(月)-20日(木) 青山学院大学) にて講演奨励賞を受賞しました。
講演番号 19a-E13-9
"半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子のコヒーレント成長"
西中淳一、船戸充、川上養一
- Applied Physics Express Vol. 6, No. 11, 111002 (2013).
にて発表した論文
"Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure"が、
2013年10月の月間ダウンロード1位になりました。
また、Editors' Choiceに選ばれました。
- CLEO-PR&OECC/PS 2013 にて発表した論文
"Local Photoluminescence Properties of InGaN Green Laser Structure on (0001) GaN Substrate"が、
Best Paper Awardsに選ばれました。
- 新メンバーが研究室に加わりました。
スライドショーの写真は2014年4月1日に桂キャンパスで撮影したものです。
- 過去のニュースはこちら (旧ページに飛びます)
- Norwegian University of Science and Technologyの
招待講演
- 船戸 充准教授
ICNS 14 (Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Nov. 12-17, 2023), Invited
"InGaN-based LEDs on arbitrary three-dimensional GaN templates toward tailored spectral control"
M. Funato, Y. Matsuda, and Y. Kawakami - 石井良太助教
ICNS 14 (Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Nov. 12-17, 2023), Invited
"Fundamental optical properties of AlN revealed by deep-ultraviolet spectroscopy (Tentative)"
Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami (Tentative) - 川上養一教授
第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 (山形テルサ, 山形， 2023年6月15-17日), 基調講演
"窒化物半導体を用いた発光シンセサイザ開発の現状と展望"
川上養一 - 川上養一教授
日本表面真空学会関西支部特別講演会 (大阪公立大学 I-siteなんば, 大阪， 2023年4月4日), 特別講演
"窒化物半導体を用いた発光シンセサイザー開発の現状と展望"
川上養一 - 松田祥伸特定助教
第70回応用物理学会春季学術講演会 (上智大学 四谷キャンパス， 2023年3月15-18日), 記念講演
"発光スペクトルの電気制御を目指したInGaN系多波長発光構造の設計と作製"
松田 祥伸，宮脇 啓嘉，船戸 充，川上 養一 - 船戸 充准教授
SPIE PHOTONICS WEST (San Francisco, Jan. 30- Feb. 2, 2023), Invited
"ScAlMgO4 as a promising substrate for InGaN-based long wavelength emitters"
Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, and Yoichi Kawakami - 石井良太助教
SPIE PHOTONICS WEST (San Francisco, Jan. 30- Feb. 2, 2023), Invited
"Spontaneous and stimulated emission physics of aluminum nitride"
Ryota Ishii, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Tatsuya Hitomi, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
第41回電子材料シンポジウム (ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA, 奈良， 2022年10月19-21日), 招待講演
"窒化物半導体を用いた発光シンセザイザーの開発"
川上養一 - 船戸 充准教授
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, October 9-14, 2022), Invited
"Fabrication and optical properties of ultra-thin GaN/AlN quantum wells for far-UVC emitters"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
Anniversary Symposium “Unipress 50” (Warsaw, Poland, October 7-8, 2022), Invited
"Towards the realization of a light-emitting synthesizer using nitride semiconductors"
Yoichi Kawakami - 船戸 充准教授
ワイドギャップ半導体学会特別公開シンポジウム (ウインクあいち(ハイブリッド), 名古屋, 2022年10月6-7日), チュートリアル
"窒化物半導体の結晶成長と光物性"
船戸 充 - 川上養一教授
第83回応用物理学会秋季学術講演会 (東北大学(ハイブリッド), 仙台, 2022年9月20-23日), シンポジウム
"窒化物半導体の光物性"
川上養一 - 船戸 充准教授
第157回結晶工学分科会研究会 (オンライン, 2022年6月1日), 招待講演
"ScAlMgO4基板上での窒化物半導体のMOVPEと赤色発光素子"
船戸 充，川上養一 - 船戸 充准教授
The Laser Display and Lighting Conference (Hybrid, April 19-22, 2022), Invited
"Strategy for higher red emission efficiency based on InGaN lattice matched to ScAlMgO4 substrates"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 尾崎拓也氏(博士課程修了生)
第43回(2021年度)応用物理学会論文奨励賞の受賞記念講演
第69回応用物理学会春季学術講演会(青山学院大学 (Hybrid),2022年3月22日-26日), 記念講演
"ScAlMgO4基板上への高In組成InGaN発光素子の作製"
尾崎拓也, 船戸充, 川上養一 - 船戸 充准教授
SPIE PHOTONICS WEST (San Francisco, Jan. 22-27, 2022), Invited
"Polar-plane-free faceted InGaN polychromatic emitters with fast carrier recombination processes"
Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, and Yoichi Kawakami - 石井良太助教
SPIE PHOTONICS WEST (San Francisco, Jan. 22-27, 2022), Invited
"Luminescence spectroscopies on 265-nm AlGaN DUV LEDs and AlN films grown on AlN substrates"
Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 石井良太助教
IWSingularity (Nagoya Congress Center, Jan. 11-13, 2022), Invited
"Temperature-dependent electroluminescence spectroscopy on 265-nm AlGaN-based LEDs grown on AlN substrates"
Ryota Ishii, Akira Yoshikawa, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 松田祥伸特定助教
第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会(リジェール松山, 令和3年12月2-4日）, 招待講演
"極性面フリーなInGaN系マルチファセット構造の作製と光デバイス応用"
松田祥伸 - 川上養一教授
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会設立記念シンポジウム(オンライン, 令和3年10月7-8日）, 招待講演
"窒化物半導体を用いた発光シンセサイザー創成を目指して"
川上養一 - 川上養一教授
第82回応用物理学会秋季学術講演会(オンライン, 令和3年9月10-13日）,
赤﨑勇先生追悼シンポジウム，招待講演
"光物性の解明とさらなる探索に向けて"
川上養一 - 船戸 充准教授
SPIE PHOTONICS WEST (Online, Mar. 6-11, 2021), Invited
"Ultrathin GaN/AlN quantum wells for deep UV emitters"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 石井良太助教
SPIE PHOTONICS WEST (Online, Mar. 6-11, 2021), Invited
"Recent progress in deep-ultraviolet scanning near-field optical microscope: a tool visualizing the luminescence properties of Al-rich AlGaN active layers"
Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 尾崎拓也氏(博士課程修了生)
SPIE PHOTONICS WEST (San Francisco, United States, Feb. 1-6, 2020), Invited
"InGaN-based quantum wells on ScAlMgO4 substrates toward long wavelength emitters "
Takuya Ozaki, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 石井良太助教
SPIE PHOTONICS WEST (San Francisco, United States, Feb. 1-6, 2020), Invited
"Exciton fine structure of aluminum nitride"
Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 石井良太助教
超高圧材料科学セミナー「高温・高圧合成ダイヤモンドの電子材料応用の可能性」(愛媛大学 城北キャンパス, 令和元年12月23日, 2019), 招待講演
"ダイヤモンドの励起子光物性とその深紫外光応用"
石井良太 - 川上養一教授
TVS-2019 Workshop (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, Taiwan, Nov. 1, 2019), Invited
"Tailor-made LEDs with nitride-based 3D-structures"
Yoichi Kawakami and Mitsuru Funato - 石井良太助教
第38回電子材料シンポジウム (THE KASHIHARA, 令和1年10月9-11日）, チュートリアル
"窒化物半導体光物性"
石井良太 - 石井良太助教
ニューダイヤモンドフォーラム第2回研究会 (東京大学駒場リサーチキャンパス, 令和1年9月30日）, 招待講演
"ダイヤモンドを中心としたワイドギャップ半導体の深紫外光物性と同位体効果"
石井良太 - 船戸 充准教授
SemiconNano2019 (Kobe, Japan, Sep. 24-27, 2019), Invited
"GaN/AlN Ultrathin Quantum Wells for UV Emitters"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
第80回応用物理学会春季学術講演会 (北海道大学 札幌キャンパス, 令和1年9月18-21日）, 招待講演
"近接場光学顕微鏡による窒化物半導体ナノ構造の光学評価"
川上養一 - 石井良太助教
第66回応用物理学会春季学術講演会 (東京工業大学 大岡山キャンパス, 平成31年3月9-12日）, 招待講演
"深紫外近接場光学顕微鏡の開発とAlリッチAlGaN系特異構造のPLマッピング評価"
石井良太、船戸 充、川上養一 - 石井良太助教
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (Kanazawa, Japan, Nov. 11-16, 2018), Invited
"Development of a deep-ultraviolet scanning nearfield optical microscope for nano-spectroscopic characterizations of AlxGa1-xN (x: 0∼1) active layers"
Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場, 平成30年9月18-21日）, 招待講演
"AlGaN系ステップバンチング特異構造からの高効率発光現象"
川上養一、早川峰洋、船戸 充 - 船戸 充准教授
SPIE Optics + Photonics 2018 (San Diego, USA, Aug. 19-23, 2018), Invited
"Control of carrier recombination processes in AlGaN-based UV emitters"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
16th International Symposium on the Science and Technology of Lighting (University of Sheffield, Sheffield, UK, June 17-22, 2018), Keynote Lectures
"Nitride-based 3D- structures for polychromatic LEDs"
Yoichi Kawakami - 川上養一教授
The 28th Meeting on Glasses for Photonics (京都大学吉田南キャンパス, 平成30年1月23日), 招待講演
"GaN系3次元構造による多波長発光素子の開発"
川上養一 - 松田祥伸氏(博士課程学生)
レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) (機械振興会館, 平成29年12月15日), 奨励講演
"Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters"
Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
IWUMD 2017 (Kyushu University, Fukuoka, Japan, Nov. 14-18, 2017), Invited
"Clarifying carrier recombination processes in AlGaN-based materials towards efficient DUV emitters"
Yoichi Kawakami - 船戸 充准教授
IWBNS-X (Nuuksio National Park, Espoo, Finland, Sep. 18-22, 2017), Invited
"An environmentally friendly method to grow AlN thick layers"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 船戸 充准教授
ICDS-29 (Kunibiki Messe, Matsue, Japan, July 31-Aug 4, 2017), Invited
"Impact of point defects on the optical transition processes in AlN-based semiconductors"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
ICNS 12 (Strasbourg Convention Center, Strasbourg, France, July 24-28, 2017), Invited
"Impact of InGaN epitaxy lattice matched to ScAlMgO4 substrates on future photonic devices"
Yoichi Kawakami - 船戸 充准教授
第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会（旧：窒化物半導体結晶成長講演会）(北海道大学, 平成29年7月13,14日), チュートリアル
"窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程"
船戸 充、川上養一 - 川上養一教授
第64回応用物理学会春季学術講演会 (パシフィコ横浜, 平成29年3月14-17日, 招待講演
"AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程"
川上養一、市川修平、船戸 充 - 石井良太助教
ISPESE 2017 (Kyoto University, Japan, March 10, 2017), Invited
"Optical properties of excitons in widegap semiconductors"
Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 船戸 充准教授
SPIE Photonics West ((The Moscone Center, San Francisco, United States, January 28 - February 2, 2017), Invited
"Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
照明学会固体光源分科会 公開研究会 (日本大学理工学部 駿河台校舎, 平成29年1月30日), 招待講演
"GaN系3次元マイクロファセット構造による多波長LEDの開発"
川上養一 - 川上養一教授
IWN-2016 (Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, United States, October 2-7, 2016), Invited
"Radiative and Nonradiative Recombination Processes in AlGaN-Based Quantum Wells"
Yoichi Kawakami - 船戸 充准教授
IWUMD-2016 (Peking University, Beijing, China, July 27-31, 2016), Invited
"Unveiling the carrier recombination paths in high Al content AlGaN quantum wells"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 石井良太助教
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年5月9-10日), 招待講演
"GaNとAlNの物性定数の同定と(Al,Ga)N系半導体の物性予測"
石井良太、船戸 充、川上養一 - 川上養一教授
平成28年度照明学会関西支部報告会 (大阪市文化交流センター, 平成28年4月22日),
"GaN系発光デバイスの現状と展望"
川上養一 - 川上養一教授
ISPlasma2016 (Nagoya University, Nagoya, Japan, 6-10 March 2016), Invited
"Assessment and control of recombination dynamics in nitride-based semiconductors for tailor-made solid state lighting"
Yoichi Kawakami - 市川修平氏(博士課程学生)
SPIE Photonics West 2016 (The Moscone Center San Francisco, California, United States, 13-18 February 2016), Invited
"Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells"
Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami - 船戸 充准教授
2015 MRS Fall Meetings & Exhibits Syposium RR: Wide-Bandgap Materials for Energy Efficiency - Power Electronics and Solid-State Lighting (Boston, Massachusetts, November 29 - December 4, 2015), Invited Speakers
"Radiative and nonradiative recombination processes in AlN-based deep ultraviolet emitters" - 船戸 充准教授
2015 MRS Fall Meetings & Exhibits Tutorial RR: Introduction to Wide-Bandgap Materials for Power Electronics and Solid State Lighting (Boston, Massachusetts, November 29 - December 4, 2015), Instructors
"III-N Materials for Optoelectronics" - 川上養一教授
国際光年記念合同シンポジウム (明治大学，駿河台キャンパス, 平成27年11月20日), 招待講演
"GaN系発光素子の現状と展望"
川上養一 - 川上養一教授
第76回応用物理学会春季学術講演会 (2015年9月13日(日)-16日(水) 名古屋国際会議場), 招待講演
講演番号 15p-1D-8
"AlN基板上への半極性AlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性"
市川修平、船戸 充、川上養一 - 川上養一教授
The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (Beijing, China, August 30- September 4, 2015), Invited Speakers
"Control of radiative recombination rate and polarization degree in nitride-based semiconductors"
Yoichi Kawakami - 川上養一教授
応用物理学会結晶工学分科会 第143回結晶工学分科会研究会 (東京都市大学世田谷キャンパス，平成27年6月5日),
"AlN基板上AlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性評価"
川上養一 - 川上養一教授
The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (The K Seoul Hotel, Korea, May 17-20, 2015), Plenary Speakers
"Recombination Dynamics in Nitride Semiconductors"
Yoichi Kawakami - 石井良太助教
第14回光科学若手研究会 (京都大学吉田キャンパス、平成27年4月18日),
"窒化物半導体発光デバイスの現状と課題"
石井良太 - 船戸 充准教授
the DPG conference in Berlin (Technische Universität Berlin, Germany, 15-20 March 2015), Invited
"Impact of reduced polarization fields on the optical properties of semipolar nitride quantum wells"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 市川修平氏(博士課程学生)
第62回応用物理学会春季学術講演会 (2015年3月11日(水)-14日(土) 東海大学 湘南キャンパス), 記念講演
講演番号 11p-B1-13
"温度上昇に伴うAlGaN系半導体の支配的な非輻射再結合経路の変化"
市川修平、船戸 充、岩崎洋介、川上養一 - 川上養一教授
第356回蛍光体同学会講演会 (機械振興会館，東京，平成27年2月13日),
"InGaN系緑色レーザ構造の発光マッピングと光利得特性"
川上養一 - 船戸 充准教授
SPIE Photonics West 2015 (The Moscone Center San Francisco, California, United States, 7-12 February 2015), Invited
"Semi/non-polar nitride quantum wells for high-efficient light emitters"
Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami - 川上養一教授
IEEE Kansai Chapter (電子情報通信学会) (大阪大学、2015年1月29-30日)、特別招待講演
"窒化物半導体の光物性解明と制御"
川上養一・船戸充 - 川上養一教授
日本真空学会関西支部 平成27年度支部総会第1回講演会 (大阪梅田、2015年1月16日),
"窒化物半導体の現状と将来展望"
川上養一 - 市川修平氏(博士課程学生)
日本結晶成長学会 第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) (学習院大学、2014年11月6-8日)、招待講演
"半極性面AlGaN/AlN量子井戸の成長条件の最適化と強い深紫外発光の実現" - 船戸 充准教授、金 潤碩氏、平 貴之氏、金田昭男氏、川上養一教授、
三好 隆氏(日亜化学)、長濱慎一氏(日亜化学)
応用物理学会 第75回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学 札幌キャンパス、2014年9月17-20日)、記念講演
講演番号 18p-C5-8
"Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure" - 西中淳一氏(元博士課程学生)
応用物理学会 第75回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学 札幌キャンパス、2014年9月17-20日)、記念講演
講演番号 20p-C5-1
"半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子の光学特性" - 川上養一、船戸 充、石井良太 (京大院工)
応用物理学会 第75回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学 札幌キャンパス、2014年9月17-20日)、シンポジウム講演
講演番号 19a-C5-1
"窒化物半導体の発光機構解明と制御" - 船戸 充准教授
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会 (名城大学 天白キャンパス、2014年7月25-26日)、チュートリアル講演
"AlN系発光素子におけるバンドエンジニアリングの重要性" - 川上養一教授
The 14th International Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS14) (Spazio Como, Come Lake, June 22-27 2014),
"Monolithic integration of multi-colors in InGaN-based LEDs with three dimensional microfacet structures for the next generation lighting"
Yoichi Kawakami and Mitsuru Funato - 船戸 充准教授
5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN5) (The Westin, Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, USA, May 18-22, 2014),
"Optical Properties of AlGaN/AlN QWs for Application to UV Emitters"
Yoichi Kawakami and Mitsuru Funato - 川上養一教授
第61回応用物理学会春季学術講演会 分科企画シンポジウム
窒化物半導体特異構造の科学 ～成長・作製と新機能の発現～ (2014年3月19日(水) 青山学院大学相模原キャンパス)、
"近接場分光法による窒化物半導体の再結合機構解明" - 川上養一教授
International Workshop on Luminescent Materials 2013 (LumiMat'13) (Shiran-Kaikan(Annex), Kyoto University, Kyoto, Japan, November 14-15, 2013),
"Impact of crystal orientation on InGaN-based efficient visible light emitters" - 過去の招待講演情報はこちら (旧ページに飛びます)
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