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ようこそ！ 川上研究室では、光と物質との相互作用に基づく新物性の発現と解明に取り組んでいます。このことによって、新しい光デバイスや光応用への展開を推進しています。
ニュース
  • 川上養一教授　最終講義について
    最終講義は無事終了しました．録画をご覧になりたい方は kinenkai＠optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp (＠は半角です) までご一報ください．

  • 川上養一教授　最終講義のご案内
    このたび，川上養一教授が令和7年3月31日をもって退職することになりました． つきましては，下記の通り最終講義を開催することになりましたので，ご案内申し上げます． 皆様の参加をお待ちしています．
    　なお，講義終了後に簡単な茶話会を会場後方にて実施します．改めての申し込みは不要ですので，お時間が許されるならば参加をご検討ください．

    日時：令和7年3月11日（火）午後3時00分〜午後4時30分
    場所：ハイブリッド開催
    　　　桂キャンパス 船井哲良記念講堂 国際連携ホール(確定) + Zoom
    　　　現地会場の地図はこちらの13の建物です(南側が入口)．
    題目：ワイドギャップ半導体の光材料物性研究に魅せられた40年
    参加方法：こちらのGoogleフォームから申し込みください
    連絡先：川上養一先生退職記念会
    TEL：075-383-2311
    Email：kinenkai＠optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp (＠は半角です)

  • 张 兆宗君
    张 兆宗君が筆頭著者でJournal of Applied Physics誌に発表した論文が本誌の"Featured"に選出され、表紙にも採用されました。
    "Nanoscopic structural and optical investigations on blue InGaN single quantum wells serving as layers beneath efficient red active layers"
    Zhaozong Zhang, Ryota Ishii, Kanako Shojiki, Mitsuru Funato, Kazuhiro Ohkawa, Daisuke Iida, and Yoichi Kawakami
    Journal of Applied Physics 137, 053101 (2025)

  • 船戸 充准教授
    日本結晶成長学会 第41回 論文賞(2024年度)を受賞しました。
    「AlN分子ステップ上に形成したGaN一次元ナノ構造への励起子の閉じ込め」
    "Confinement of Excitons within GaN 1D Nanoarchitectures Formed on AlN Molecular Steps",
    Mitsuru Funato, Hirotsugu Kobayashi, Yoichi Kawakami,
    Advanced Optical Materials, 12, 2302506, (2024).

  • 石井良太助教
    京都大学×堀場製作所「HONMAMON共創研究」に採択され、
    京都新聞などで報じられました。
    "深紫外顕微分光計測の追求"

  • 福重 翔吾君
    2023年度LQE奨励賞を受賞しました。
    "半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ"
    福重 翔吾、松田祥伸、船戸 充、川上 養一

  • 和泉 篤尚君
    LEDIA 2024でYamaguchi Masahito Awardを受賞しました。
    "Design of UV LEDs based on ultrathin GaN quantum wells emitting below 240 nm"
    A. Izumi, K. Shojiki, M. Funato, Y. Kawakami
    講演番号 LEDIA2-02

  • 正直 花奈子講師
    第2回ダイバーシティ＆インクルージョン賞を受賞しました。

  • 张 兆宗君
    ICNS 14 (Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Nov. 12-17, 2023)にて、 Best Student Awardを受賞しました。こちらが写真です。
    "Correlative micro-photoluminescence spectroscopy on hybrid quantum-well InGaN red LEDs"
    Zhaozong Zhang, Ryota Ishii, Kanako Shojiki, Mitsuru Funato, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoichi Kawakami
    講演番号 CH1-3

  • 福重 翔吾君
    ICNS 14 (Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Nov. 12-17, 2023)にて、 Outstanding Poster Awardを受賞しました。こちらが写真です。
    "Broadband emission from semipolar InGaN quantum wells on GaN microlens structures"
    Shogo Fukushige, Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami
    講演番号 Tup-GR-23

  • 竹村 幸大君
    ICNS 14 (Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Nov. 12-17, 2023)にて、 Outstanding Poster Awardを受賞しました。こちらが写真です。
    "MOVPE of high-quality GaN on Al-pretreated sapphire substrates without using low-temperature buffer layers"
    Kodai Takemura, Takato Fukui, Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
    講演番号 TuP GR-24

  • 石井良太助教
    第84回応用物理学会秋季学術講演会に投稿した講演が、
    注目講演としてプレスリリースされました。
    "AlN の Mg アクセプタ束縛エネルギーについて：実験"
    石井良太、吉川陽、船戸充、川上養一

  • 石井良太助教
    2023 堀場雅夫賞を受賞しました。
    京都新聞、日刊工業新聞、電波新聞、日本計量新報などで報じられました。
    "超ワイドギャップ半導体の基礎光物性解明と新機能性発現に向けた
    深紫外時空間分解分光法の開拓"

  • Applied Physics Express Vol. 16, 015511 (2023).
    にて発表した論文
    "InGaN-based LEDs on convex lens-shaped GaN arrays toward multiwavelength light emitters"が、
    Advances in Engineering社のKey Scientific Articlesとして紹介されました。

  • 正直 花奈子講師が着任しました．

  • 松田祥伸特定助教
    第53回(2022年秋季)応用物理学会秋季学術講演会(東北大学川内北キャンパス, 令和4年9月20-23日）にて、 応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
    "自在な構造制御による多波長発光を目指したGaNマイクロレンズ構造上InGaN LED"
    講演番号 22p-B102-3

  • 「発光シンセサイザ」に関する川上の解説記事が
    応用物理学会誌 第91巻 第10号 606ページに掲載されました．

  • Applied Physics Express Vol. 15, 105503 (2022).
    にて発表した論文
    "Multiwavelength-emitting InGaN quantum wells on convex-lens-shaped GaN microstructures"が、
    Semiconductor Today誌で紹介されました。
    こちらが記事になります。

  • 石井良太助教
    第2回先端ナノミクス若手研究者交流会(オンライン, 令和4年3月17日）にて、 最優秀ポスター賞を受賞しました。
    "高空間分解能を有する深紫外近接場光学顕微鏡の開発"
    講演番号 P7

  • 松田祥伸特定助教
    第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会(リジェール松山, 令和3年12月2-4日）にて、 研究奨励賞を受賞しました。
    "極性面フリーなInGaN系マルチファセット構造の作製と光デバイス応用"
    講演番号 Th-I1

  • 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会（WideG）が設立されました．
    理事（会長）として，川上養一教授が就任しています．

  • 尾崎拓也氏(博士課程修了生)
    第43回(2021年度)応用物理学会論文奨励賞を受賞しました。
    "Red-emitting InxGa1−xN/InyGa1−yN quantum wells grown on lattice-matched InyGa1−yN/ScAlMgO4 (0001) templates"
    Takuya Ozaki, Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami
    Appl. Phys. Express 12 011007 (2019)

  • 船戸 充准教授
    IOP PublishingのTrusted Reviewerに認定されました。

  • 松田祥伸氏(博士課程学生)
    The 2nd Advanced Nanomics Symposium(令和元年10月15日)にて、 Best Poster Presentation Awardを受賞しました。
    "Polar-Plane-Free Faceted InGaN-LEDs toward Next-Generation White Light Sources"
    Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami

  • APL Photonics Vol. 4, No. 7, 070801 (2019)に発表の論文
    "Pushing the limits of deep-ultraviolet scanning near-field optical microscopy"
    Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami
    が、本誌の注目論文Featuredに選ばれ、
    American Institute of Physics (AIP)出版社全体の注目記事Scilightにも選ばれました。

  • 松田祥伸氏(博士課程学生)
    LEDIA'19 (パシフィコ横浜, 平成31年4月23-25日)にて、 Student's Paper Award "Yamaguchi Masahito Award"を受賞しました。
    講演番号 LEDIA-7-04
    "Exploring the growth procedures for polar-plane-free faceted InGaN-LED structures"
    Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami

  • 窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)での前原 圭汰君(M1)の発表
    "Red-emitting InGaN quantum wells grown on In0.17Ga0.83N templates lattice matched to ScAlMgO4 substrates"
    が，日経xTECH で紹介されました。詳細はこちらです。

  • Applied Physics Express Vol. 12, 011007 (2019)に発表の論文
    "Red-emitting InxGa1−xN/InyGa1−yN quantum wells grown on lattice-matched InyGa1−yN/ScAlMgO4 (0001) templates"
    Takuya Ozaki, Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami
    がSpotlightsに選ばれました。

  • 松田祥伸氏(博士課程学生)
    第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会 (工学院大学　新宿キャンパス, 平成30年11月29日)にて、 発表奨励賞を受賞しました。
    講演番号 2P025
    "極性面フリーな三次元InGaN量子井戸からの輻射再結合寿命が短いパステルグリーン発光"
    松田祥伸、船戸 充、川上養一

  • 岸元克浩氏(博士課程学生)
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (Kanazawa, Japan, Nov. 11-16, 2018)にて、
    Student Awardを受賞しました。
    講演番号 LN2-3
    "Controlling p-type conductivity at AlN surfaces"
    Katsuhiro Kishimoto, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami

  • 第79回応用物理学会秋季学術講演会での川上養一教授の招待講演が日経xTECH で紹介されました。詳細はこちらです。

  • 金沢で開催される窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)で，
    博士課程学生の岸元君と松田君、修士課程学生の小林君と前原君が研究発表します。その詳細はこちらです。 IWNは窒化物半導体業界で最も規模の大きな国際会議であり、川上教授が実行委員長を務めます。

  • 京都大学電気関係教室技術情報誌CUE第40号に、
    研究室での近接場光学顕微鏡に関する研究動向を紹介する記事が
    掲載されました。詳細はこちらです．

  • Applied Physics Express Vol. 11, 061001 (2018).
    にて発表した論文
    "AlGaN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes"が、
    Compound Semiconductor誌で紹介されました。

  • 松田祥伸氏(博士課程学生)
    第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (名古屋大学, 東山キャンパス, 平成30年7月12-13日)にて発表奨励賞を受賞しました。
    講演番号 Th-P19
    "極性面フリーな三次元InGaN量子井戸を用いた混合色合成と制御"
    松田祥伸、船戸 充、川上 養一

  • 片岡研氏(研究員)
    応用物理学会2018年春季学術講演会においてPoster Awardを受賞しました。
    講演番号 20p-P6-24
    "AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光"
    片岡研、千賀岳人、船戸充、川上養一

  • 松田祥伸氏(博士課程学生)
    International Symposium on Photonics and Electronics Science and Engineering 2018（京都大学、桂キャンパス、平成30年3月19-20日）でポスターアワードを受賞しました。
    "Efficient polychromatic emission from polar-plane-free faceted InGaN quantum wells"
    Y. Matsuda

  • 松田祥伸氏(修士課程学生)
    2016年度LQE奨励賞を受賞しました。授賞時の様子がこちらです。
    受賞対象：2016年レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年12月12-13日)
    "極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現"
    松田祥伸、船戸 充、川上 養一

  • 2017年9月15日に新学術領域研究「特異構造の結晶科学」の領域内研究会を行い、 和歌山大学の篠塚雄三教授と山口大学の山田陽一教授に講演して頂きました。 そのときの様子がこちらです。
    講演内容
    "半導体中の深い準位での配位座標モデル"　篠塚雄三教授
    "レーザ分光法による内部量子効率の評価"　山田陽一教授

  • 岸元克浩氏(修士課程学生)
    第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年5月9-10日)にて発表奨励賞を受賞しました。
    講演番号 Tu-6
    "ESVPE 成長AlN の厚膜化に伴う歪および転位の評価"
    岸元克浩、Wu PeiTsen、船戸 充、川上 養一

  • 尾崎拓也氏(博士課程学生)
    第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年5月9-10日)にて発表奨励賞を受賞しました。
    講演番号 Mo-9
    "ScAlMgO4(0001)基板上InGaN 薄膜における組成引き込み効果"
    尾崎拓也、船戸 充、川上 養一

  • 石井良太助教
    第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学, 桂キャンパス, 平成28年5月9-10日)にて研究奨励賞を受賞しました。
    講演番号 I-Tu-3
    "GaN とAlN の物性定数の同定と(Al,Ga)N 系半導体の物性予測"
    石井良太、船戸 充、川上 養一

  • 藤田研究室と合同で毎年恒例のBBQを行いました。
    そのときの様子がこちらです。
  • Norwegian University of Science and Technologyの
    Helge Weman教授に講演して頂きました。
    そのときの様子がこちらです。
    "III-V semiconductor nanowires grown on Si and graphene
    for optoelectronic applications"
  • AIP Advances Vol. 5, No. 11, 117115 (2015).
    にて発表した論文
    "Screw dislocation-induced growth spirals as emissive exciton localization centers in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells"が、
    Editor's Picksに選ばれました。

  • 市川修平氏(博士課程学生)
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015年9月13日(日)-16日(水) 名古屋国際会議場) の注目論文に選ばれ、応用物理学会誌(Vol. 84 No. 9 pp. 793)で紹介されました。
    講演番号 13p-1D-14
    "半極性AlGaN/AlN量子井戸の誘導放出に向けた構造設計"
    市川修平、船戸 充、川上 養一

  • Applied Physics Express Vol. 8, No. 6, 062101 (2015).
    にて発表した論文
    "InGaN-based visible light-emitting diodes on ScAlMgO4 (0001) substrates"が、
    Spotlightsに選ばれました。

  • 尾崎拓也氏(博士課程学生)
    第62回応用物理学会春季学術講演会 (2015年3月11日(水)-14日(土) 東海大学 湘南キャンパス) の注目論文に選ばれ、応用物理学会誌(Vol. 84 No. 5 pp. 209)で紹介されました。
    講演番号 14a-B1-9
    "ScAlMgO4(0001)基板上低歪GaN薄膜を用いた
    InGaN系可視発光ダイオードの試作"
    尾崎拓也、船戸 充、川上 養一

  • 市川修平氏(博士課程学生)
    2014年秋季 第75回応用物理学会関係連合講演会 (2014年9月17日(水)-20日(土) 北海道大学 札幌キャンパス) にて講演奨励賞を受賞しました。
    講演番号 18a-C5-12
    "CLマッピング測定を用いたAlGaN系半導体における
    支配的な非輻射再結合経路の直接観察"
    市川修平、船戸 充、岩﨑洋介、川上養一

  • 船戸 充准教授、金 潤碩氏、平 貴之氏、金田昭男氏、川上養一教授、
    三好 隆氏(日亜化学)、長濱慎一氏(日亜化学)
    第36回(2014年度)応用物理学会論文賞を受賞しました。
    "Remarkably Supressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure", Applied Physics Express 6, 111002 (2013).
    Mitsuru Funato, Yoon Seok Kim, Takayuki Hira, Akio Kaneta, Yoichi Kawakami, Takashi Miyoshi, and Shin-ichi Nagahama

  • 市川修平氏(博士課程学生)
    第6回窒化物半導体結晶成長講演会(2014年7月25日(金)-26日(土) 名城大学 天白キャンパス) にて発表奨励賞を受賞しました。
    "半極性面AlGaN/AlN量子井戸の短い輻射再結合寿命と発光強度の増大"
    市川修平、岩田佳也、船戸充、川上養一

  • 市川修平氏(博士課程学生)
    第33回電子材料シンポジウム(33rd EMS)(2014年7月9日(水)-11日(金) ラフォーレ修善寺) にてEMS賞を受賞しました。

  • 西中淳一氏(発表時博士課程学生)
    2014年春季 第61回応用物理学会関係連合講演会 (2014年3月17日(月)-20日(木) 青山学院大学) にて講演奨励賞を受賞しました。
    講演番号 19a-E13-9
    "半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子のコヒーレント成長"
    西中淳一、船戸充、川上養一

  • Applied Physics Express Vol. 6, No. 11, 111002 (2013).
    にて発表した論文
    "Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure"が、
    2013年10月の月間ダウンロード1位になりました。
    また、Editors' Choiceに選ばれました。

  • CLEO-PR&OECC/PS 2013 にて発表した論文
    "Local Photoluminescence Properties of InGaN Green Laser Structure on (0001) GaN Substrate"が、
    Best Paper Awardsに選ばれました。

  • 新メンバーが研究室に加わりました。
    スライドショーの写真は2014年4月1日に桂キャンパスで撮影したものです。

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招待講演
更新履歴
2015.01.01
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2016.01.20
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2016.04.01
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