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光材料物性工学分野の
ホームページへようこそ！ 光材料物性工学分野では，光と物質との相互作用に基づく新しい物性の発現とその解明に取り組んでいます．光材料を生み出すための結晶成長技術の開発から，得られた材料の基礎物性の評価・理解，さらにその知見に基づいた光デバイスや光応用技術の提案・実証に至るまで，基礎から応用にわたる幅広い研究を推進しています．
Topics
  • 科研費 特別推進研究 20H05622 (R2～R6)の事後評価について
    「発光シンセサイザー：究極の発光デバイス創成を目指して」　代表：川上 養一，分担：船戸 充，石井 良太，岡本 晃一(大阪公立大学・教授)
    　本研究では，窒化物半導体におけるナノ・マイクロ構造中から 任意の波長の光を高効率で発光させるための技術を確立し， 究極の発光デバイスを創成することを目指していました． 事後の評価で「A」評価をいただきました．

  • 川上養一教授　最終講義について
    最終講義は無事終了しました．録画をご覧になりたい方は kinenkai＠optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp (＠は半角です) までご一報ください．

  • 2025.04.01　　研究室の体制が変わりました．
    川上教授の退職に伴い，光材料物性工学分野は船戸充特定教授が運営することになりました． 旧川上研のHPはこちら

  • 2026.4.21-24 　　招待講演．松田祥伸 特定助教
    The 15th Laser Display, Imaging and Lighting Conference 2026 (Kanagawa, Japan)
    "Full-color luminescent nitride semiconductor microstructures toward advanced optical functionality"
    Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami.

  • 2026.01.17-22　　招待講演．船戸充 特定教授
    Photonics West 2026 (San Francisco, USA)
    "Monolithic integration of blue-to-red LEDs via single-step epitaxy"
    Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, and Yoichi Kawakami.

  • 2026.01.17-22　　招待講演．船戸充 特定教授
    Photonics West 2026 (San Francisco, USA)
    "Red InGaN quantum wells with reduced surface defects via vicinal GaN engineering"
    Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, and Yoichi Kawakami.

  • 2025.11.09-12　　招待講演．船戸充 特定教授
    ISGN-8 (Tainan, Taiwan)
    "InGaN MOVPE on arbitrary 3D GaN templates for polychromatic emission"
    Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, and Yoichi Kawakami.

  • 2025.11.05-09　　招待講演．船戸充 特定教授
    PIERS 2025 (Chiba, Japan)
    "Monolayer GaN quantum wells for Far-UVC emitters"
    Mitsuru Funato and Yoichi Kawakami.

  • 2025.10.02-03　　招待講演．船戸充 特定教授
    ワイドギャップ半導体学会 (岡山国際交流センター／オンライン)
    "深紫外発光AlGaN材料の成長と光学特性評価"
    船戸 充

  • 2025.07.06-11　　招待講演．松田祥伸 特定助教
    ICNS 15 (Malmö, Sweden)
    "Growth integration of InGaN-based full visible LEDs"
    Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, and Yoichi Kawakami.

  • 2025.04.07-11　　招待講演．石井良太 助教
    2025 MRS Spring Meeting & Exhibit (Summit, Seattle, USA)
    "Fundamental electronic and optical properties of AlN as an ultrawide bandgap material"
    Ryota Ishii, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami.

更新履歴
2025.04.01
研究室に新メンバーが加わりました。
2025.05.13
研究室HPをリニューアルしました。